一、项目名称：良率提升（芯片） 二、项目内容 技术要求： ①流片：16片。 ?按照甲方的版图、甲方工艺流程及要求在乙方工艺线流片，流片数量不少于8片；流片完成后按照行业要求，出具完整的测试报告，需至少涵盖工作电压、反向漏电、击穿电压等结果。 ?按照甲方版图、乙方工艺流程及要求在乙方工艺线流片，流片数量不少于8片；流片完成后乙方按照行业要求，出具完整的测试报告，需至少涵盖工作电压、反向漏电、击穿电压等结果。 ②异常分析诊断：24片。 对上述16片及在甲方mini线流片8片结果进行分析诊断，分析异常原因，并出具相应报告，派驻相关人员到甲方现场提供技术支持。 ③良率提升： 要求：流片标的为1200V 20A SiC SBD芯片（6英寸），在甲方生产线一次性投片不少于8片的条件下，平均片内良率≥90%。良率判断依据需同时满足以下4条： （1） 反向电流Ir=200uA条件下，反向击穿电压BV≥1200V； （2） 反向电压Vr=1200V条件下，漏电流Ir≤100uA； （3） 正向电流Id=20A条件下，正向工作电压Vf≤********； （4） 单科芯片尺寸参照国内目前行业相同规格水平。

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